外媒:" 天价光刻"刻机开机了

全球半导体产业正经历一场深刻的格局重构，英特尔在俄勒冈州的晶圆厂里启动价值25.4亿元的High-NA EUV光刻机时，万里之外的中国芯片企业正用成熟制程改写市场规则。

这场看似两极分化的竞赛背后，隐藏着技术路线、产业生态与地缘政治的复杂博弈。

ASML最新一代High-NA EUV光刻机的投产，标志着半导体制造迈入全新维度。

这款重达150吨的庞然大物，通过将数值孔径从0.33提升至0.55，使分辨率达到8nm，相比传统EUV设备特征尺寸缩小1.7倍，晶体管密度提升2.9倍。

更关键的是其生产效率的跃升：单次曝光即可完成过去需要三次曝光的任务，处理步骤从40道骤减至个位数。

英特尔披露的数据显示，两台设备季度产能已达3万片晶圆，可靠性较前代提升两倍。

这种技术突破直接指向1.4nm工艺，为摩尔定律续命的同时，也让英特尔在先进制程竞赛中重获主动权。

美方在半导体领域的布局正陷入双重矛盾。

一方面，英特尔斥资370亿美元建设的D1X工厂，试图通过High-NA EUV重夺制程优势。

但现实却显残酷：2024年英特尔代工业务仅占全球市场2.3%，而台积电在美5座晶圆厂的总投资已超千亿美元。

另一方面，对中国成熟制程的围堵反促产业觉醒——2024年中国芯片出口额达3552亿元，28nm及以上制程全球市占率飙升至29%。

美国企业正为此付出代价：德州仪器工业芯片利润暴跌52%，安森美被迫裁员9%，成熟制程的"中国冲击波"已然形成。

面对EUV设备的封锁，中国选择"以空间换时间"的技术路线。

中芯国际N+2工艺通过3D封装将14nm芯片性能提升至7nm水平，成本降低40%。

华为昇腾910C芯片采用7nm多重曝光工艺，单位功耗算力达640TOPS，价格仅为国际竞品的1/12。

更值得关注的是生态重构：MindSpore框架支撑国内67%的大模型研发，中文NLP处理效率超国际框架2.3倍。

这种"农村包围城市"的策略正在奏效：2024年中国新能源汽车96%的芯片实现国产化，存储芯片价格因长江存储的技术突破暴跌77%。

中国半导体产业的突围不仅是技术突破，更是制造范式的革新。

上海微电子28nm光刻机实现95%零部件国产化，北方华创刻蚀机进入台积电供应链，长电科技先进封装技术问鼎全球前三。

这些进步构建起独特的"双循环"体系：对内形成14nm-7nm工艺联盟，对外通过RISC-V开源架构吸引12国参与生态建设。

美国倾力追逐2nm制程时，中国用成熟技术改写着产业规则。

这种分化正在重塑全球供应链：台积电3nm工厂建设成本是大陆同行的2倍，而中国28nm芯片价格已跌破国际厂商成本线。

更深远的影响在于技术标准——华为提出的"智能算力切片"被纳入6G候选方案，中科院存算一体芯片能效比提升20倍。

这些创新预示着一个多极化的半导体新时代：先进制程不再是唯一赛道，应用创新与生态掌控正成为新的护城河。

在这场看似割裂的产业竞赛中，真正的赢家或许不是技术领先者，而是能构建可持续创新生态的破局者。

当中国芯片企业用成熟制程撕开市场缺口，用开源架构打破技术垄断时，半导体产业的游戏规则已被永久改变。

这种改变不仅关乎芯片本身，更是全球科技权力重构的缩影——在算力即权力的新时代，没有谁能够永远垄断创新的火种。

（内容来源：北青网）